存储芯片股本周遭遇剧烈震荡，多重利空信号叠加，令此前因AI需求驱动的涨势骤然承压。
周三，美光暴跌8.02%，闪迪大跌8.12%，西部数据跌幅亦超过7%，SK海力士美国存托凭证（ADR）同步下跌9%，将前一交易日的涨幅大幅回吐；韩股SK海力士跌近12%、三星电子跌逾9%。
触发此轮抛售的直接导火索，是巴菲特警告称AI主题投机盛行、市场已难觅真正价值，尽管他并未点名任何具体公司。
与此同时，广发香港在月度电话会议中下调了第三季度DRAM价格增长预测，理由是客户对接近30%的涨价幅度强烈抵制。
这一轮下跌折射出存储板块当前的核心矛盾：基本面数据依然强劲，但供给扩张预期与需求端的规格下调风险，正在侵蚀市场对高价格持续性的信心。
巴菲特言论引发情绪逆转
美光本周的走势堪称"过山车"。
7月13日（周一）股价下跌4.3%，收于937美元；7月14日（周二）因KeyBanc将目标价上调至1750美元、预计存储短缺将延续至2027年，股价反弹4.7%，盘中一度触及994.80美元；7月15日（周三），巴菲特的表态令市场情绪急转直下，股价一度跌至约865美元附近，市值回落至约1.05万亿美元。
巴菲特的原话是，当所有人都热衷于在AI等主题上"赌博"时，寻找真正有价值的投资变得"越来越难"。
这番话并未针对美光，却精准击中了存储股近期交易模式的软肋——投资者对每一条消息的反应都像在押注涨跌，而非基于对基本面的长期判断。
一位市场观察人士指出，SK海力士上周在纳斯达克上市后的行情走势，正是这种"赌博心态"的缩影：投资者起初因该公司CEO Arvind Krishna表示客户支出已向存储产品转移而大举买入，随后又因担忧SK海力士扩产计划将压低行业定价而迅速抛售。
DRAM涨价遭抵制
广发香港在月度电话会议中透露，客户对接近30%的DRAM价格涨幅抵制情绪强烈，该机构因此略微下调了第三季度DRAM价格增长预测。
这一表态与此前KeyBanc预计DRAM三季度涨价15%至20%的判断形成对比，显示需求端的议价能力正在对供给侧的定价预期形成制约。
广发香港同时指出，普通服务器的DDR5规格预计将较此前下调约50%，DRAM供应商正在推进提供96GB或64GB的新款RDIMM及MRDIMM产品，后者有望成为新的主流规格。
此外，据广发香港7月2日的分析，英伟达VR200 NVL72机架的LPDDR5X容量已大幅削减，极端情景下甚至可能降至原始规格的四分之一，这将使LPDDR5X成本从原本可能攀升至120万美元压缩至约29.3万美元。
该机构还预计，英伟达Vera CPU机架同样将采用96GB SOCAMM方案，总内存容量从规格表所示的1.5TB降至768GB，交付时间也可能因此推迟。
NAND与HBM成为新的分歧点
尽管DRAM前景趋于谨慎，广发香港对NAND闪存的态度却明显转向乐观。
该机构指出，KV缓存卸载（KV cache offloading）的需求持续超出预期，同时市场出现了以NAND替代昂贵DRAM的新兴趋势，两者共同支撑NAND需求。
KeyBanc分析师John Vinh则维持对整体存储市场的积极判断，预计NAND三季度涨价30%至40%，四季度再涨15%；HBM价格明年有望翻倍以上。HBM是AI处理器的关键配套存储，美光是英伟达AI处理器的HBM供应商之一，这一定位使其深度嵌入AI硬件供应链。
广发香港对SK海力士二季度业绩持乐观态度，预计其营收将达85万亿韩元，毛利率为63%。
SK海力士ADR溢价面临收窄压力
SK海力士ADR周三下跌9%至176.46美元，而其韩国本地股同日收涨8.8%，两者走势明显背离。
在周二大涨27%之后，SK海力士ADR的远期市盈率已升至约6.2倍，与竞争对手美光的估值水平趋近——而此前ADR相对本地股折价正是部分投资者买入的重要理由之一。
目前SK海力士ADR相对韩国本地股的溢价一度超过50%。
韩国证券存托机构预计将于7月29日开放本地股与ADR之间的双向转换，届时这一溢价空间可能显著收窄，构成ADR持有者的潜在压力。
强劲基本面难掩周期隐忧
尽管短期情绪波动剧烈，美光的基本面数据依然亮眼。
该公司最新财季营收达415亿美元，同比增长346%；净利润飙升近1400%至282亿美元；调整后每股收益25.11美元。美光已与16家战略客户签订总额220亿美元的存储芯片供应承诺协议，协议包含"照付不议"条款、现金押金及价格下限，为公司提供了超越日常市场波动的需求锚定。
然而，存储行业的周期性风险始终悬而未决。
美光今年资本支出约270亿美元，SK海力士与三星电子同样在大规模扩产。一旦供给追上需求，当前的定价权将面临严峻考验。
当前多头逻辑的核心假设——供给紧张持续时间长于历史周期——能否成立，仍是市场最大的不确定性所在。
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